作者：程新利soi材料退火电阻率
摘要：在SIMOXSOI材料外延生长硅层时，存在电阻率较高的过渡层。对衬底研究表明，SOI层呈现高阻。采取不同温度对衬底进行退火，结果表明：合适的温度退火可以明显降低SOI层电阻率，对外延硅层后的SOI材料进行退火，也可以部分降低外延层电阻率，减少外延层中高阻层厚度。
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