作者:程新利; 张峰soi应变弛豫
摘要:对SOl(绝缘体上的硅)衬底上外延生长的SiGe层进行了研究,并利用透射电镜、AES、Raman光谱、X-ray多晶衍射等技术对SiGe/SOI材料做了表征。结果表明:制备的材料中Ge/Si元素分布均匀,SiGe层是高度弛豫的,SiGe层中应变通过产生失配位错被释放出来。
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