作者：莫啸; 李冬; 张明科; 孔德鑫自偏置带隙基准温度系数电源抑制比
摘要：本文基于TSMC 28nm HPC工艺,设计了一款应用于900mV低压差线性稳压器(Low output Voltage,LDO)的高精度自偏置带隙基准源。仿真结果表明,在1.8V的工作电压下,该带隙基准的输出电压接近600mV。tt模式,温度范围-40℃到125℃,该带隙基准的温度系数低至8.8ppm/℃,具有良好的温度特性。tt模式,27℃时,低频的电源抑制比达到78.8dB,静态电流15.4μA。
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