作者：班涛; 潘中良; 陈倩三维集成电路硅通孔峰值温度布图规划热分析
摘要：三维集成电路相对于传统的集成电路可以持续并较好地实现高密度和多功能,可以使电路中的一些信号互连缩短,并加快信号的传输速度。三维芯片层间的互连是通过硅通孔来实现的,所采用的垂直堆叠方式会使芯片的功耗密度增加,从而使得发热量急剧增长。本文针对三维电路芯片的工作温度、TSV数目、互连线长度以及芯片面积等因素,研究了一种协同考虑芯片峰值温度和TSV数目的三维芯片布图算法,可以使所设计的三维电路芯片不仅它的峰值温度符合设计规范的要求,而且所使用的TSV数目较少。
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