作者：刘荣军; 李保林ganhemt平面式内匹配高效率偏置电路
摘要：氮化镓高电子迁移率晶体管（GaNHEMT）具有高功率密度、高效率和高工作温度的优异特性，在电子装备和武器系统中具有广泛应用。随着以固态功放为核心的有源阵面的不断增加，高效率，高功率，小型化的功率放大器成为未来有源相控阵雷达的首选功率器件。本文通过采用新颖的偏置电路实现了一款便于T／R．组件内部集成的平面式、小型化、高效率GaN内匹配功率放大器，经测试，在3．1—3．4GHz带宽内，连续波输出可达80W以上，附加效率≥65％，功率增益≥12dB，外形尺寸仅有15mm＊6．6mm＊0．8mm。经过射频加速寿命试验及多批次系统联机测试，该产品完全满足相控阵雷达系统的使用要求。
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