作者：刘勇 庄志强 王歆 陆裕东钛酸钡ptc陶瓷ba2tisi2o8
摘要：采用固相法制备了不同硅掺杂量的BaTiO3基PTC陶瓷，研究了硅掺杂量和Ba2TiSi2O8第二相对PTC陶瓷电性能以及微观结构的影响，并分别以XRD和SEM对样品的相组成和显微结构进行了研究．结果表明，少量硅的加入降低了室温电阻率；硅的加入有利于传质和限制晶界移动；当硅掺杂量不大于0．5mol％时，样品的电阻-温度系数和升阻比都随着硅掺杂量的增加而增大；硅不单是烧结助剂，而且它可以改变晶界相组成．当硅浓度超过0．5mol%时，样品出现Ba2TiSi2O8第二相．随着硅的浓度进一步加大，Ba2TiSi2O8第二相增多，电阻率逐渐增大，电阻-温度系数减小，但升阻比却增大．Ba2TiSi2O8第二相的出现，导致样品的PTC效应出现缓变的现象．
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