氮化镓pi
摘要：氮化镓(GaN)作为半导体第三代材料,近年来高频进入业界视野。各大IC厂商先后涉足氮化镓领域,源由氮化镓的宽禁带、高击穿电压、大热导率等特性,确立了其在制备宽波谱、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位,GaN器件正在向各应用领域渗透着。
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