功率mosfet意法半导体表面贴装键合技术导通电阻晶体管电阻率高密度
摘要：意法半导体推出250A表面贴装的功率MOSFET晶体管。新产品STV250N55F3整合ST PowerSO-10封装和引线带楔焊键合技术,无裸晶片封装的电阻率极低。采用ST的高密度STripFETⅢ制程,典型导通电阻仅为1.5mΩ。
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