feram富士通铁电随机存储器新材料东京工业大学数据存储容量
摘要：东京工业大学、富士通实验室和富士通有限公司已经联合开发出一种用于新一代非易失铁电随机存储器（FeRAM）的新型材料。这种铋、铁、氧元素的合成材料（BiFeO3或BFO），能使数据存储容量达到目前FeRAM生产中使用材料的五倍。
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