作者：Sungmo; Young功率mosfet适用性半导体场效应晶体管开关器件寄生电感高功率密度电流变化率金属氧化工作频率负面作用
摘要：功率金属氧化半导体场效应晶体管（Power MOSFET）是当今电源中广泛使用的开关器件。功率MOSFET的工作频率不断提高，以减小器件尺寸和提高功率密度。这样就会增加电流变化率（di／dt），增强了寄生电感的负面作用，导致功率MOSFET源极和漏极之间产生很高的电压尖峰。这种尖峰电压在器件上电时更为严重，因为在上电瞬间变压器的初级电感几乎达到漏感的水平，同时器件的体电容还未完成充电且电感较小。幸好功率MOSFET具有一定的抗过压能力，因此无需外加成本高昂的保护电路。
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