作者：李鹏 赵振宇 郑超 张民选电荷共享脉冲削减双极放大电路级模拟
摘要：利用电路级模拟方法，在65nm体硅CMOS工艺条件下研究了器件尺寸对其脉冲削减效应的影响．结果表明，当被动反相器的尺寸改变时，脉冲削减效应的变化趋势与其内部双极放大效应的强弱有关．在双极放大效应较强时，脉冲削减效应随尺寸的增加而增强；反之，则其脉冲削减效应随尺寸的增加而减弱．
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