作者：郭群超; 刘阳纳米硅异质结界面态能带补偿
摘要：采用纳米硅和晶体硅材料设计了一种纳米硅(nc-Si:H)/晶体硅(c-Si)异质结太阳电池,并利用wxAMPS软件对该电池的基本性能进行了模拟。仿真发现,界面缺陷态是决定电池性能的关键因素,它对电池的填充因子和开路电压影响非常明显。如果在电池的纳米硅与晶体硅交界处插入1 nm厚的纳米本征缓冲层,可以降低缺陷态密度的消极影响,提高光伏电池的光电转换效率。
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《上海电机学院学报》（CN：31-1996/Z）是一本有较高学术价值的双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《上海电机学院学报》是以各类工程与应用技术为主的综合性科技学术期刊，主要刊登电气、机械、动力、材料、电子、计算机、信息工程、自动化控制、管理科学、数学、物理、工程力学等方面研究成果的论文。
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