碳化硅衬底单晶硅国产碳化硅半导体碳化硅材料自主研制行业协会电子材料
摘要：近日，我国自主研制的又一款4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世。据报道，该碳化硅项目由是山东天岳研制而成的。中国电子材料行业协会组织的专家认为，该成果国内领先，已达到国际先进水平。此前，北京某企业与中科院合作，成功研制了从2英寸到6英寸的碳化硅衬底，完成了我国碳化硅半导体从无到有的过程。如今，我国第二家企业也实现了碳化硅材料大规模量产，标志着我国碳化硅材料发展逐渐走向成熟。
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