高压下3C—SiC的电子结构、弹性与热力学性质

作者：柳福提 程晓洪 张淑华密度泛函理论碳化硅电子结构弹性热力学性质

摘要：运用密度泛函理论的超软赝势平面波方法对3C—SiC晶体结构进行了几何优化，得到与实验值相符的晶格参数，在压强为0～100GPa范围内对3C—SiC的电子结构与弹性进行了计算，结果表明晶体结构是稳定的，且带隙随着压强的增大而减小。然后利用准谐德拜模型研究了3C—SiC在温度为0—2100K、压强为0—100GPa范围内的热力学性质，结果表明其等容热容、热膨胀系数及熵函数都随温度的升高而增大，随压强的增大而减小，而德拜温度随温度的升高而减小，随压强的增大而增大。

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