随机晶场作用的Blume—Capel模型的相图研究

作者：朱海霞 晏世雷三临界点相图

摘要：在有效场框架下，运用切断近似的方法，取自旋S为1的三维简立方格子，对随机晶场作用的Blume—Capel模型（BCM）相图进行研究，重点探讨随机晶场浓度和不同的晶场分布形式（晶场比率参数d）对相图的影响，具体分析了4种晶场分布形式：晶场稀疏分布，正负晶场对称分布，正负晶场非对称分布和负晶场随机分布，并给出相应的相图。在晶场稀疏情况下，三临界点（TCP）存在于一定的晶场浓度范围内，低温区域出现相变线的重入现象和晶场简并模式；α=-1．0和α=-0．4时，临界点存在的晶场浓度范扩大，相图出现正晶场分布，特别当α=0．4时，三临界点始终存在，重入现象和晶场简并模式消失，二级相变线始终与晶轴没有交点，相变线均无趋于∞，磁有序相范围减小。

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