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Fe/GaAs/Fe隧道结的磁电阻研究

作者:任俊; 余万伦; 李玲隧道结电子输运界面无序散射tmr值

摘要:用第一性原理的方法研究了Fe/GaAs/Fe隧道结的隧穿磁电阻(TMR).研究表明,TMR值对于界面的无序散射相当敏感,在考虑了界面无序的散射对电子输运的影响后,计算所得的TMR值与实验值吻合得很好.研究表明,界面无序的散射是造成TMR实验值很低的主要原因,而不是以往研究所认为的是界面处的自旋翻转的作用.

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四川师范大学学报·自然科学版

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