作者：喻智晨; 米振莉; 郭锦; 龚娜低温贝氏体元素分布电子探针
摘要：采用贝氏体相变经典切变学说中M Hillert等人的假设以及Bhadeshia、康沫狂等人的改进,分别建立相应的模型,分析低温贝氏体等温过程C、Si、Al元素在贝氏体铁素体和奥氏体之间的浓度分布。结果表明：计算结果和电子探针测量结果具有较好的对应性。在低温贝氏体等温过程中,由于相变以及C元素在α-Fe和γ-Fe中扩散系数的差异,C在奥氏体/贝氏体界面处奥氏体一侧富集,造成界面附近的奥氏体中C含量急剧升高。而置换元素Al、Si在奥氏体和贝氏体铁素体扩散困难,即使经长时间等温后,浓度变化依然很小。改进后的贝氏体等温相变模型较好的反映了条带状残余奥氏体的形成。等温过程初期某些时刻,由于两相界面两侧C元素扩散速度及浓度的差异,会导致界面附近的奥氏体区域内短暂的出现C浓度双峰现象。而在贝氏体等温过程中,贝氏体铁素体-奥氏体界面的移动出现了类似Q＆P钢配分过程中马氏体-奥氏体界面的双向性。
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