作者：刘伟 王欣平 刘红宾 魏志飞均匀化退火alsi1反偏析宏观偏析显微组织
摘要：针对超高纯AlSil铸锭存在的Si含量反偏析现象，尝试用530℃×8h均匀化退火以降低反偏析程度。采用电感耦合等离子体发射光谱仪（ICP-OES）测量均匀化退火前后Si的质量分数，比较Si含量的变化；同时，采用光学显微镜、扫描电镜观察晶粒变化以及Si的状态、分布变化。结果表明，均匀化退火后晶粒变大，晶界连续、清晰；晶粒范围内Si固溶到基体中，重新析出呈细小均匀分布，宏观偏析（反偏析）程度有所降低，但不够明显；均匀化退火对抑制铸锭反偏析的效果并不理想。
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