作者：张慧亭; 傅瑜; 张萍; 何俊宝铁基超导thcr2si2结构各向异性
摘要：层状过渡金属化合物BaMn2Bi2与“122”型铁基超导材料BaFe2As2具有十分相似的特征,不仅具有相同的四方ThCr2Si2晶体结构,而且都是反铁磁基态。我们采用助溶剂法制备了BaMn2Bi2的高质量大尺寸单晶样品,通过X射线衍射、能谱分析系统、综合物性测量系统表征了该单晶样品的晶体结构、化学成分和电输运性质,并对其电输运性质的各向异性进行了系统的研究。研究发现:零磁场下BaMn 2Bi 2的面内电阻率和面间电阻率从300 K到100 K随温度下降而下降,表现出坏金属行为;但是100 K以下随温度下降而上升,表现出半导体行为,其激发能约为2.5~3 meV。施加9 T磁场后,100 K以上两个方向的磁阻仅为5%左右,而100 K以下两个方向磁阻都逐渐下降,直到1.8 K达到-18%左右。无论是否施加磁场,BaMn2Bi2的面内电阻率和面间电阻率都没有表现出明显的各向异性。
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