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催化剂、温度和保护气体对微硅粉合成碳化硅晶须的影响

作者:李青翠; 陆俊宇; 张鹏微硅粉碳热还原反应碳化硅晶须生长机理

摘要:以工业废弃物微硅粉为硅源,石墨为碳源,硼酸为催化剂,采用碳热还原法制备碳化硅晶须。通过XRD及SEM对合成产物的物相及形貌进行分析,探讨了碳源、合成温度、催化剂加入量和保护气体对合成碳化硅晶须的影响。结果表明:选择石墨为碳源可成功制备出碳化硅晶须;合成温度为1550℃和1650℃时,所制备的晶须呈直线状,表面平直光滑,而当温度为1600℃时,晶须呈竹节状;以氮气为保护气体,催化剂的含量为5%~6%时,合成的晶须的产率最高,且品质好,晶须在氮气中的生长机理推测为气固机理。该合成方法为工业废弃物微硅粉的高质化利用提供了一条切实可行的路线。

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人工晶体学报

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