作者：王箫扬; 张雄; 杨延宁; 贺琳; 张富春; 张...inn薄膜磁控溅射压强流量比衬底温度
摘要：为了开发氮化铟（InN）半导体材料在光电子领域的应用,采用磁控溅射法在Si（111）衬底上实现了InN薄膜的制备。通过X射线衍射仪（XRD）和扫描电镜（SEM）对获得的InN薄膜样品进行表征,系统地研究了压强、Ar和N2流量比及衬底温度对InN薄膜结构、形貌的影响。结果表明：随着压强的增加,（101）峰的强度先增加后减小,晶面距离d先变小后变大且均获得三角锥形的InN薄膜;随着Ar与N2流量比的增加,InN薄膜的生长取向由沿（101）面变为沿（002）面生长且均获得三角锥状的InN晶粒;随着衬底温度的升高,InN薄膜的生长取向发生了变化且形貌逐渐由三角锥状向截面为六方的颗粒状结构转化。
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