作者：萨娜; 王平平; 李志鹏; 马玉兰; 董肖; 黄...碳化硅陶瓷常压烧结助烧剂热膨胀性能
摘要：采用YOCl/Ca O为助烧剂常压烧结制备Si C陶瓷,研究助烧剂的配比及烧结温度对陶瓷的显微结构、热学性能及介电性能的影响。结果表明：在高温烧结过程中YOCl及Ca O会与Si C发生置换还原反应,生成部分含钇化合物,对比各样品的热膨胀系数发现,在1800℃下烧结的YOCl/Ca O=4∶5的样品与常压烧结制备的纯Si C热膨胀系数α=4.0×10-6相接近,而其它样品热膨胀系数与单晶硅的热膨胀系数α=2.62×10-6较为接近,有望成为较好的封装材料。
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