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磁场结构对Ф300 mm直拉单晶硅碳杂质的影响研究

作者:李岩; 李进; 景华玉; 高昂; 高忙忙单晶硅勾型磁场熔体流动洛伦兹力碳浓度

摘要:本文利用CGSim晶体生长软件分析了不同磁场结构对直拉单晶硅中碳杂质含量的影响。结果表明,气氛中的碳原子主要通过熔体自由表面上靠近坩埚壁一侧区域扩散进熔体。通过调节对称磁场和非对称磁场的结构参数来抑制碳原子掺入区域的对流强度,增大碳原子扩散层的厚度,进而降低熔体中的碳原子浓度,最终获得低碳含量的直拉单晶硅。

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人工晶体学报

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