作者：张颖; 王景芹; 康慧玲触头材料能带和态密度第一性原理稀土与in共掺杂电导率
摘要：AgSnO_2触头材料中的SnO_2近乎绝缘,为了提高触头材料的电性能提出了稀土材料La、Ce、Y和In共掺杂的方法。采用基于密度泛函的第一性原理对SnO_2以及单掺杂稀土元素的SnO_2和共掺稀土元素和In的SnO_2晶胞进行能带和态密度的计算。结果表明：掺杂后的材料仍旧是直接带隙半导体材料,都具有热稳定性,共掺杂可以进一步使得导带底、价带顶向费米能级附近移动,进而窄化带隙;共掺杂比单掺的电子有效质量小,电导率大,其中Y和In共掺杂的导电性最好。共掺杂比单掺稀土元素更能提高AgSnO_2触头材料的导电性,为触头材料的发展提供了理论依据。
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