作者：王斌 李丹洋 符小艺 何新华钇离子掺杂晶格畸变居里温度压电性能
摘要：采用传统的固相反应法制备铋层结构铁电陶瓷材料Ca1-xYxBi4Ti4O15＋x/2（x=0~0.1）（简称CYBT）,研究了钇离子掺杂对CYBT陶瓷的烧结、晶相组成、显微形貌及电性能的影响。Y3＋的A位取代,可以改善CYBT陶瓷的烧结性能,提高体积密度和瓷体致密度。Y3＋的引入促进晶粒沿c轴方向生长,晶粒各向异性减小,室温介电常数增加。Y掺杂后离子半径差别和A空位浓度增加所产生的晶格畸变,使陶瓷的居里温度显著升高,当掺杂量x=0.10时,Tc升高了约80℃。Y掺杂显著降低了高温损耗,掺杂量x=0.075的样品表现出最好的压电性能,压电常数d33为15 pC/N。
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