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Ga源温度对共蒸发三步法制备Cu(In,Ga)Se2太阳电池的影响

作者:刘芳芳 何青 周志强 孙云cigs薄膜太阳电池ga梯度分布二极管特性

摘要:利用共蒸发三步法制备了Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,并通过调整制备工艺中的一、三步的金属镓(Ga)的温度,改变Ga含量的梯度分布,研究不同梯度分布对CIGS薄膜及电池性能的影响。从而优化了电池带隙梯度分布,使电池的开路电压Voc在提高的同时,最大程度的减小了Jsc的损失。优化后薄膜表面的结晶情况得到改善,电池的结界面和二极管特性也得到相应的提高。量子效率测试发现,优化后的CIGS太阳电池在较长波段中(520~1100nm)的光子吸收损失大大减小。

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人工晶体学报

《人工晶体学报》(CN:11-2637/O7)是一本有较高学术价值的大型月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。

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