作者：陈哲 董连和 孙艳军 冷雁冰 王丽cds薄膜电子束蒸发法正交实验光电性能
摘要：采用电子束蒸发法，以高纯CdS块料为膜料在玻璃基底上制备了CdS薄膜，设计了L9（3^4）正交实验，研究了各工艺参数对薄膜光电性能的影响。结果表明，随着基底温度，蒸发速率的提高，薄膜的电阻值呈降低趋势达到最小值后稍有升高；薄膜的阻值随真空度的降低而降低，达到一定程度后阻值基本保持不变。薄膜的暗亮电阻比即光敏性，随基底温度的增大先增大达到最大值后开始减小；而随蒸发速率的提高光敏性先缓后急的增加；真空度对光敏性的影响与蒸发速率对光敏性的影响正好相反，表现为随真空度的增加光敏性先急后缓的降低。正交实验表明：当基底温度为150℃，蒸发速率为1nm·s-1，真空度为3×10^-3Pa时，薄膜的光电性能最好。CdS薄膜的光敏性达到7．7×10^2，其中亮电阻的最小值为1350Ω／□。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
