Ar气氛下退火处理对6H-SiC晶片表面结构的影响

作者：姜涛 严成锋 陈建军 刘熙 杨建华 施尔畏退火afm台阶结构

摘要：本文对物理气相传输法生长的三片2英寸掺氮6H-SiC晶片,分别在不同温度下进行退火处理。采用原子力显微镜（AFM）对SiC晶片表面结构进行表征,研究了不同温度和偏角度对SiC晶片表面结构的影响。发现Ar气氛下高温退火处理可以在晶片表面形成规则的台阶条纹,说明Ar气氛下的高温退火处理对SiC晶片表面有一定的刻蚀作用。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社