CVT一步生长的ZnSe单晶的光电特性研究

作者：李寒松 李焕勇化学气相输运法znse单晶光电特性透过率电阻率

摘要：本文采用化学气相输运（CVT）法,由Zn（5N）和Se（5N）一步直接生长了片状ZnSe单晶,并对其结构特性和光电性能进行分析。研究表明,生长出的ZnSe单晶仅显露（111）面,红外透过率约为40%～42%,具有较高的结晶质量。该ZnSe单晶可与In电极形成良好的欧姆接触,其体电阻率约为7.3×109Ω.cm。

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