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退火温度对La3Ga5SiO14薄膜结构及表面形貌的影响

作者:张雯 王继扬 季振国 李红霞 娄垚la3ga5sio14薄膜脉冲激光沉积退火温度微观结构

摘要:采用脉冲激光沉积技术在Si(100)衬底上制备了La3Ga5SiO14薄膜,并研究了不同的退火温度对薄膜结构和表面形貌的影响。衬底温度为室温时生长的薄膜经过800℃以上的高温退火后,由最初的无定形态转变为无规则取向的多晶结构。衬底温度为400℃时生长的薄膜经过800℃退火处理后呈现无序的多晶形态。当退火温度进一步升高至1000℃时,XRD图谱显示薄膜由最初的(220)和(300)两个结晶方向转变为以(200)和(400)为主要取向的多晶结构。表面形貌分析表明:衬底温度为400℃时,随着退火温度的升高,薄膜颗粒尺寸逐渐增大,表面无裂纹,而衬底温度为室温时生长的薄膜退火后则出现大量的裂缝、孔洞等缺陷。

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人工晶体学报

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