作者：黄永平晶体场理论电子顺磁共振参量缺陷结构
摘要：基于晶体场理论，采用3d。离子在D2d对称中的晶场能级公式和EPR参量高阶微扰公式，计算了ThSiO4：V^4＋晶体的光谱和电子顺磁共振（EPR）参量g因子g∥，g⊥和超精细结构常数A∥，A⊥。计算结果与实验发现很好吻合。由于晶体中顺磁杂质中心的EPR参量与其缺陷结构密切相关，本计算还获得了V^4＋杂质中心缺陷结构的信息。对上述结果进行了讨论。
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