高温闪烁晶体GSO：Ce的生长及其光谱性质

作者：介明印; 赵广军; 曾雄辉; 何晓明; 张连翰...高温闪烁晶体提拉法光谱性质光透过率晶体开裂中频感应荧光光谱差热分析xrd室温

摘要：本文用中频感应提拉法生长出尺寸为φ30mm×150mm,质量好的GSO:Ce晶体.并对晶体进行XRD测试和差热分析,初步分析引起晶体开裂的原因,最后测试了晶体室温下的吸收和荧光光谱等,GSO:Ce晶体发射峰为433nm,晶体在大于400nm范围其光透过率大于80%.

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