作者：吕文中; 贾小龙; 何笑明直流磁控溅射工艺zno薄膜薄膜结构基片温度c轴取向晶格结构退火氩氧比结晶质量
摘要：ZnO是一种新型的Ⅱ—Ⅵ族直接带隙化合物材料，是一种很有潜力的短波长光电器件材料。当ZnO薄膜具有良好的c轴取向和晶格结构时，可得到优良的光电性能比如紫外光受激发射。本实验用XRD和SEM研究了工艺条件如基片温度、氩氧比及退火工艺对ZnO薄膜结构特性的影响。结果表明在基片温度250℃、氩氧比为1：4的条件下，可得到结晶质量良好的ZnO薄膜；通过退火可以使薄膜应力得到驰豫，降低缺陷浓度，改善薄膜的结构特性。本实验采用直流磁控溅射的方法，最终在(100)硅衬底基片上制备出了高c轴取向、晶粒尺寸约70nm的ZnO薄膜。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
