纳米带半导体化合物材料合成带状结构多壁碳纳米管中国科学家单壁纳米管高温气体
摘要：美国佐治亚理工学院的三位中国科学家2001年初利用高温气体固相法，首次合成了半导体化合物纳米带状结构。是继发现多壁碳纳米管和合成单壁纳米管以来，一维纳米材料合成领域的又一大突破。它的横截面是窄矩形结构，带宽为30～300mm，厚度为5—10nm，长度可达几毫米，是迄今为止合成的惟一具有结构可控且无缺陷的宽带半导体准一维带状结构。
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《热处理技术与装备》（CN：36-1291/TG）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度，颇受业界和广大读者的关注和好评。 《热处理技术与装备》为中国热处理行业协会会刊，是综合介绍国内外材料及热处理新技术、新动向的窗口和媒介。坚持先进性、科学性、新颖性和实用性为办刊方针。
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