研制成功硅二极管高速转化合物半导体光电硅发光二极管载流子迁移率表面等离子体光吸收率高灵敏度谐振现象寄生电容寄生电阻高速特性磷化铟inp传感器近场光天线元件
摘要：一般情况下，硅发光二极管与InP(磷化铟)等制成的化合物半导体相比，光吸收率及载流子迁移率较低，因此很难提高灵敏度。而此次通过在传感器上部设置银制天线，利用表面等离子体谐振现象生成了很强的近场光，从而解决了这一问题。另外，该产品通过大幅减小元件体积，降低了寄生电阻和寄生电容，从而实现了可与20GHz化合物半导体媲美的高速特性。
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