作者：李静平 方明 贺洪波 邵建达 李朝阳应力释放应力恢复物理吸附化学吸附
摘要：采用多光束应力实时测量装置监控并分析了磁控溅射Si和SiNx薄膜的总力及应力演化过程.在两种膜层中均观察到了应力释放及恢复现象.Si膜中应力是可逆的,而SiNx膜中应力是部分可逆的.物理吸附和解吸附分别是应力释放和恢复的主要原因.不可逆的应力分量来源于化学吸附,基于吸附机制建立了一个应力释放模型.
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《强激光与粒子束》（CN：51-1311/O4）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《强激光与粒子束》主要报道我国高能激光与粒子束技术领域的基础理论、实验与应用研究的成果和最新进展。内容涉及高功率激光、高功率微波与粒子束的产生、传输及其与物质的相互作用，加速器及高功率脉冲功率技术。
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