作者：庄欣欣 叶李旺 汪剑成 苏根博 郑国宗 贺...籽晶生长降温法快速生长大尺寸磷酸二氢钾晶体reductionmethodkdp晶体生长技术设计制作杂质离子阈值透过光谱速度稳定晶体生长技术基础激光损伤光学元件惯性约束三倍频大单晶
摘要：大尺寸磷酸二氢钾(KDP)晶体在惯性约束聚变系统中主要用于制作变频及开关光学元件.在传统生长技术基础上,开展了点籽晶降温法大尺寸KDP晶体的快速生长技术研究,设计制作大型培养槽及载晶架,采用过热注种方式试验点籽晶生长,培育出尺寸50 cm×50 cm×41 cm的KDP大单晶,其(100)面生长速度稳定为15 mm/d.晶体在300～1 100 nm波段的透过光谱与常规生长的等同,影响晶体生长及光学品质的主要的金属杂质离子Fe3+,Cr3+,Al3+等含量少于10-6,晶体激光损伤基频阈值30 J/cm2,三倍频阈值达到8.6 J/cm2.
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