低噪声CMOS电荷灵敏前置放大器

作者：邓智; 康克军; 程建平; 刘以农核电子学电荷灵敏前置放大器cmos专用集成电路

摘要：为了满足辐射探测器的读出密度要求,完成了低噪声CMOS专用集成电荷灵敏前置放大器的设计和测试.采用0.6 μm CMOS工艺,电路面积为260 μm×210 μm, 功耗为15.9 mW, 比传统的电荷灵敏前放的电路密度至少提高了3个数量级.测量得到的噪声结果为: 在成形时间为1 μs时,零电容噪声为1 377.1 e, 电容噪声斜率为43.7 e/pF. 噪声的实测结果和理论分析比较吻合,间接测量了使用工艺NMOS的1/f噪声系数,为低噪声设计提供了参考依据.

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