作者：闫绳贤; 叶万能; 冯志伟铁电性能介电性能
摘要：采用助溶剂法使用Bi2O3作为助溶剂生长出Bi4Ti3O（12）和Bi3.5Nd（0.5）Ti3O12单晶。研究了Nd取代对Bi4Ti3O12单晶铁电和介电性能的影响。Bi4Ti3O（12）单晶的剩余极化（2Pr）和矫顽场（2Ec）分别约28μC/cm-2和71KV/cm,Bi3.5Nd0.5Ti3O12单晶的2Pr和2Ec分别约20μC/cm-2/cm-2和41kV/cm。与Bi4Ti 3O12单晶相比,Bi3.5Nd0.5Ti3O12单晶具有较低的漏电流约为10-8 A/cm-2。Bi4Ti3O12单晶介电常数和介电损耗的值分别为73和0.04,Bi3.5Nd0.5Ti3O12单晶的介电常数和介电损耗的值分别为105和0.018。结果表明,Bi3.5Nd0.5Ti3O12单晶的铁电和介电性能均随Nd含量的增加而降低。
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