作者：李秾; 金言; 袁芳; 郭丽君第三代半导体器件专利分析碳化硅氮化镓
摘要：以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料具有宽半导体带隙、高电子饱和漂移速度、高热导率、高击穿强度等特点,特别适合制造工作于高频率、高速度、高温的半导体器件和短波长光电器件,已成为国际半导体器研究与产业化的热点。基于科学计量的方法,本文从专利申请和授权的年度趋势、发明人所在地、专利申请地、专利分类体系分布以及专利权人的角度深入分析了第三代半导体器件专利的整体产出情况、重点技术领域以及研发机构情况,并对我国发展相关产业提出建议。研究表明,近30年来第三代半导体器件专利申请量高速增长,专利的来源地与受理地均为日本、美国、中国和韩国,中国大陆地区在该领域缺少龙头企业,相关研发以大学和科研院所为主,尚需培育市场需求。
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