作者：叶子凡; 周艳; 徐莉; 潘国顺化学机械抛光紫外led
摘要：在4H-SiC晶片的化学机械抛光（CMP）体系中加入紫外LED系统,研究TiO2颗粒、紫外LED光功率、抛光温度和抛光液pH值对4H-SiC晶片抛光性能的影响规律,以获得较高的材料去除速率（MRR）和原子级光滑表面,满足LED器件对衬底材料表面的严格要求.结果表明,采用平均粒径25 nm、质量分数为2%的TiO2颗粒,可显著提高MRR,且减少微划痕等表面缺陷;增大紫外LED功率,MRR随之增大;升高抛光温度,MRR快速提高,并可降低抛光所得表面粗糙度;在CMP体系中加入紫外体系可增加羟基自由基数量,抛光液pH值较低（2.2）也可维持较高MRR值,且抛光液pH值超过10时MRR值大幅提高.采用原子力显微镜（AFM）、光学显微镜来考察4H-SiC晶片抛光后的表面质量.基于各因素的影响规律,最终获得表面粗糙度为0.058 6 nm的4H-SiC晶片表面,且MRR达到352.8 nm/h.
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