GaAlN／GaN量子阱中电子的激发态极化

作者：杨瑞芳; 郭子政激发态内建电场量子阱电子极化偶极矩电场强度重掺杂非线性各向异性

摘要：考虑了纤锌矿结构材料的各向异性造成的内建电场的作用,计算了GaN/GaAlN量子阱内电子的激发态极化.结果表明,电子偶极矩改变随Al浓度的增加非线性减小.一般情况下激发态极化产生的电场强度远小于内建电场,可忽略不记,但当n取较大值(1019/cm3以上)时,即材料被重掺杂时,激发态极化产生的电场强度对内建电场的影响不能忽略.

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