导带弯曲对有限深GaN／Gal-zAlzN球形量子点中杂质态的影响及其压力效应

作者：曹艳娟 闫祖威量子点电子面密度结合能流体静压力

摘要：用三角势近似界面导带弯曲，采用变分理论研究了流体静压力影响下有限高势垒GaN／Ga，AtN球形量子点中杂质态的结合能，计算中考虑了电子有效质量，电子面密度，介电常数以及禁带宽度随流体静压力的变化．数值计算结果表明，随着电子面密度的增加，杂质态结合能降低，当电子面密度较大时，随着量子点尺寸的增大，结合能最终趋于一个相同的值．同时发现随着压力的增加，在0到10GPa范围内，施主杂质态的结合能随压力变化呈线性增加的趋势，此变化趋势对于小量子点更显著．另外，随着铝组分的增加结合能相应的增加，此变化趋势对于铝组分低的情况更显著．结果表明导带弯曲效应对结合能的贡献是不能忽略的．

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