作者：秦国轩; 黄治塬; 靳萌萌; 高静; 毛陆虹体调制技术密勒补偿无片外电容ldo电源抑制比
摘要：介绍了1种无片外输出电容结构的低压差线性稳压器（LDO）.该结构采用TSMC 0.18μm标准CMOS工艺设计,利用体调制效应,提高了LDO的稳定性和其瞬态响应.电路的面积为300×165 μm~2,基于Cadence仿真,其最大负载电流为10 mA,输入电压2 V,输出电压为1.8 V.当负载电流为1 m A时,静态电流和电源抑制比分别为83.8μA和-82.6 d B.
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