作者：田养利 尹洪峰 陈金学导电性能
摘要：为研究Ti_3SiC_2材料的导电性能,将Ti粉、Si粉、TiC粉按物质的量比为1 1.2 2混合,外加不同含量和不同粒度的α-Al_2O_3微粉经热压烧结制备了Al_2O_3-Ti_3SiC_2复合材料。研究了热压烧结温度（1 300、1 350、1400、1 450、1 500和1 550℃）、α-Al_2O_3微粉的添加量（质量分数分别为10%、20%、30%、40%和50%）及粒径（50 nm、500 nm、800 nm和7μm）对该复合材料的物相组成、显微结构、常温导电性能等的影响。结果表明：热压烧结制备的Al_2O_3-Ti_3SiC_2复合材料的物相主要有Ti_3SiC_2、TiC和刚玉,合适的热压烧结温度为1 450℃;随着α-Al_2O_3微粉含量和纳米级粒径的增大,Al_2O_3-Ti_3SiC_2复合材料的导电性能呈线性下降趋势,微米级比纳米级更有益于材料的导电性。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
