作者：王福 孙加林 曹文斌 王强碳化硅晶须微波合成碳热还原法
摘要：首先以硅溶胶（w（SiO2）=30%,平均粒径为10-20 nm）和活性炭（平均粒径〈10μm,w（C）=99.5%）为原料,六偏磷酸钠为分散剂,混匀后在真空下于110℃烘干24 h制成反应前驱体,然后将其破碎成不同粒度的细粉,在多模谐振腔微波炉中分别加热至1 300-1 600℃保温15-60 min制备了SiC晶须,研究了热处理温度、保温时间以及反应前驱体的粒度对晶须产率的影响。结果表明：（1）当热处理温度为1 300-1 400℃时,产物主要为方石英及少量β-SiC,SiC晶须的产率较低;温度达到1 500℃以后,产物主要为SiC晶须及少量SiC颗粒,且在1 500℃下保温时间从15 min延长到30 min时,SiC晶须产率显著增加;温度提高到1 600℃时,生成了等轴SiC颗粒及SiC晶须。（2）1 500℃保温30 min为比较适合的微波加热合成条件,晶须产率能达到80%以上。（3）较小的反应前驱体颗粒有利于SiC晶须的生成。
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