作者：吴有智 马继晶 张运虎 张材荣 张定军有机半导体npb空穴迁移率空间电荷
摘要：以典型有机半导体材料——胺类衍生物NPB（N,N’-diphenyl-N,N’-bis（1-naphthyl）（1,1’-biphenyl）-4,4’diamine）为空穴传输层,采用MoO3为阳极缓冲层制备结构简单的只有空穴传输的单载流子器件.以空间电荷理论为基础,利用从器件电流-电压关系变换而来的一个特殊而简单的函数确定出电场强度在600~1 000V1/2cm^-1/2时,NPB空穴迁移率位于1.1×10^-5~3.5×10^-4 cm2 V^-1s^-1,这与文献报导采用其他方法得到的结果接近,表明这是一种简单而有效的确定有机半导体载流子迁移率的方法,同时也表明MoO3为阳极缓冲层可在ITO/NPB间形成良好的欧姆接触.
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