作者：刘映群; 丁向荣高量子效率发光二极管电子阻挡层
摘要：设计了具有高量子效率的发光二极管（LED）芯片。通过采用Mg掺杂的AlInN-InGaN-AlInN作为LED的电子阻挡层,减小由极化引起的静电场,增大电子和空穴波函数的交叠比,从而增大了辐射复合速率。提高辐射复合速率有利于缓解电子泄露问题,增加了LED的发光功率,减小LED在大电流下的效率下降问题。新设计的芯片在大电流注入下,发光功率是传统结构的两倍。
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《量子光学学报》（CN：14-1187/O4）是一本有较高学术价值的大型季刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《量子光学学报》反映国内量子光学及相关领域的科研成果、交流学术信息。促进国内量子光学的发展，加强国内外联系，向国内外学术界展示我国量子光学领域的研究水平。
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