作者：张大庆 李国斌 陈长水光电子学量子阱垒高in含量数值模拟ingangan发光二极管
摘要：通过对InxGal～xN掺杂不同组份的In来改变InxGa1一xN的禁带宽度，从而改变量子阱势垒高度，并研究其与发光二极管光电性能、效率下降之间的关系。通过仿真模拟实验研究了不同量子阱势垒高度与InGaN／GaN量子阱发光二极管的功率光谱密度、内量子效率、发光功率及复合率之间的关系。分析结果表明：1）In含量与发光二极管的光电性能并非成线性关系。2）在电流密度较低时，In组份越小，光谱密度峰值越大，发光功率越大。3）在电流密度较大时，In组份越大，光谱密度峰值越大，发光功率越大。4）光谱蓝移与电流密度大小紧密相关，电流密度大的蓝移程度大，反之越小。因此，应根据不同的电流密度来选择In组份的大小，从而提高发光效率。
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