作者：钟林瑛 洪荣墩 林伯金 蔡加法 陈厦平 吴...光电子学apd光谱响应探测率
摘要：应用ATLAS模拟软件，设计了吸收层与倍增层分离的（SAM）4H-SiC雪崩光电探测器（APD）结构。分析了不同外延层厚度和掺杂浓度对器件光谱响应的影响，对倍增层参数进行优化模拟，得出倍增层的最优化厚度为O．26pm，掺杂浓度为9．0×10^17cm^-3。模拟分析了该APD的反向IV特性、光增益、不同偏压下的光谱响应和探测率等，结果显示该APD在较低的击穿电压-66．4V下可获得较高的倍增因子10。；在0V偏压下峰值响应波长（250nm）处的响应度为0．11A／W，相应的量子效率为5870；临近击穿电压时，紫外可见比仍可达1．5×10^3；其归一化探测率最大可达1．5×10^16cmHz1／2W^-1。结果显示该APD具有较好的紫外探测性能。
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